（原题目：科学家研制2D金属芯片：让储存速率提高100倍）

科学家正在起劲，希望开发出下一代数据存储质料，以提高现有存储速率。

据英国《自然·物理学》杂志克日揭晓的一项研究，一个美国团结研究团队行使层状二碲化钨制成了二维（2D）金属芯片，其厚度仅三个原子，其可取代硅芯片存储数据，且比硅芯片更麋集、更小、更快，也更节能，同时储存速率提高了100倍之多。

研究人员对二碲化钨薄层结构施加细小电流，使其奇数层相对于偶数层发生稳固的偏移，并行使奇偶层的排列来存储二进制数据。数据写入后，他们再通过一种称为贝利曲率的量子特征，在不滋扰排列的情况下读取数据。

与现有的基于硅的数据存储系统相比，新系统具有伟大优势——它可以将更多的数据填充到极小的物理空间中，而且异常节能。此外，其偏移发生得如此之快，以至于数据写入速率可以比现有手艺快100倍。

对超薄层举行异常小的调整，就会对它的功效特征发生很大的影响，而人们可以行使这一知识来设计新型节能装备，以实现可持续发展和更智慧的未来存储方式。