三星电子最近的新消息是连续不断，就连平时默默无闻的半导体部门的工作也开始有了进展，这是推动三星大量旗舰设备工作的基础。公司今天宣布用于毫米波（mmWave）5G频谱的新一代射频集成电路（RFIC），以及全新的数字/模拟前端（DAFE）ASIC芯片组，这些芯片将为所有下一代5G基站基础设施提供动力。

　　这些RFIC和ASIC是网络芯片组（在这种情况下为5G芯片组）的关键组件，最新的创新技术可将尺寸，重量和功耗降低25％，从而使5G基站的效率明显提高，同时能够更快地推出到市场。

　　据称三星已宣布在美国和韩国交付超过36000台5G基站，包括近1000个天线元件和RFIC，以实现5G高速数据传输。

　　三星的新RFIC采用28nm制造工艺，使其能够以高达1.4GHz的频率工作-与上一代RFIC的800MHz峰值频率相比有了明显改善。RFIC还配备了更高效的RF功率放大器，可提供直接的功率优势，同时最大限度地降低整体信号噪声。

　　此外，这些RFIC解决方案的目标是28GHz和39GHz网络，这些网络频段会运用于商业实施和公共部门。展望未来，这些RFIC还将能够利用24GHz和47GHz等频段，从而最大限度地扩大其与更多全球市场的联系。

　　与此同时，DAFE ASIC是三星专有的5G基础设施，它是数字模拟转换的关键，将在基站中发挥至关重要的作用。这些新技术旨在构建低延迟，低功耗设备的理念，推动即时、稳健和持久的连接标准，从而推动技术创新。

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